十九世紀(jì)初，人類就開始了對半導(dǎo)體材料及制作的研究，至今已經(jīng)發(fā)展到了第三代半導(dǎo)體，并開始普及和廣泛應(yīng)用。
第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性?？梢詫?shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動控制 ，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。目前，市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用領(lǐng)域。
高光效、高功率、高電壓、高頻率、高工作溫度~抗輻射
三代半導(dǎo)體重要參數(shù)對比表
結(jié)合上訴圖文綜合可見，第三代半導(dǎo)體是支撐智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展電氣化道路之關(guān)鍵。